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晶圓級(jí)集成是超高分辨率microLED微顯示器大規(guī)模生產(chǎn)制造的關(guān)鍵。JBD公司在4英寸晶圓上制造了有源矩陣microLED微顯示芯片。
目前,微型顯示器正在進(jìn)行一場(chǎng)革命。包括可穿戴電子產(chǎn)品,平視顯示器和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)在內(nèi)的一系列新興應(yīng)用的出現(xiàn),從而對(duì)這項(xiàng)技術(shù)的需求正在快速增長(zhǎng)。然而,為了在市場(chǎng)上取得成功,這些通常具有不大于一英寸對(duì)角屏幕尺寸的小型化顯示器,將必須滿足當(dāng)前技術(shù)未能完全滿足的嚴(yán)格技術(shù)要求。
用來(lái)實(shí)現(xiàn)這些微顯示器最有前途的技術(shù)之一,是基于microLED的技術(shù)。這種微型的器件,微米級(jí)尺寸的LED直接作為像素單元集成到硅驅(qū)動(dòng)器IC背板上。
采用這種方法,可以使化合物半導(dǎo)體器件的出色發(fā)光能力與IC無(wú)與倫比的功能完美結(jié)合?;谠诹炼?對(duì)比度,功率效率,響應(yīng)時(shí)間和器件可靠性方面所具有的優(yōu)勢(shì),這種顯示器的性能優(yōu)于基于液晶和有機(jī)LED技術(shù)的同類顯示器。然而,由于化合物半導(dǎo)體microLED和硅基IC是具有截然不同的材料特性和制造工藝的器件,其集成帶來(lái)巨大的挑戰(zhàn),因此它們的集成制造遠(yuǎn)非易事。
受到了microLED微顯示器誘人市場(chǎng)潛力的推動(dòng),學(xué)術(shù)界和工業(yè)界許多研究人員一直都把目標(biāo)瞄準(zhǔn)克服這些障礙。并且他們?cè)S多人已將注意力轉(zhuǎn)向倒裝芯片技術(shù),這是將化合物半導(dǎo)體功能器件陣列與硅基IC集成的最常用方法。
芯片倒裝
倒裝芯片方法的出發(fā)點(diǎn)是在一個(gè)基板上設(shè)計(jì)和制造microLED陣列,并在另外一個(gè)基板上設(shè)計(jì)和生產(chǎn)硅基的像素驅(qū)動(dòng)器IC。至關(guān)重要的是,這兩個(gè)實(shí)體的幾何布局必須相同。
接下來(lái)是芯片級(jí)制造,其中包含切割并與原始晶圓分離的microLED陣列單個(gè)芯片。然后利用高精度對(duì)準(zhǔn)的鍵合機(jī),用焊料陣列凸點(diǎn)將microLED陣列倒裝鍵合到硅IC上。這就提供了像素驅(qū)動(dòng)器電路陣列的電連接。
源自于倒裝芯片技術(shù)取得的良好進(jìn)展,最近一些小組報(bào)道了基于GaN的有源矩陣microLED微顯示器的演示。然而,我們也應(yīng)該注意到倒裝芯片技術(shù)存在著固有的缺點(diǎn),并且它們還可能限制microLED微顯示器的性能和成本。
一個(gè)顯著的缺點(diǎn)是,由于采用了芯片級(jí)的制造工藝,因此需要有精確的對(duì)準(zhǔn),這會(huì)妨礙產(chǎn)量并增加成本。此外,透明基板通常是至關(guān)重要的,因?yàn)槿藗冓呄蛴谠诨旌霞珊蟊A鬽icroLED生長(zhǎng)基板。另外還有一個(gè)問(wèn)題就是化合物半導(dǎo)體器件襯底和硅襯底之間存在著顯著的熱失配。這種差異會(huì)在微顯示芯片中引入內(nèi)建的應(yīng)力,從而有損于制造良率和長(zhǎng)期可靠性。
更重要的是,microLED的像素尺寸的大小是有極限的。它取決于制造設(shè)備和倒裝芯片工藝的自身能力。今天,工業(yè)上已經(jīng)在努力實(shí)現(xiàn)小至20μm的像素尺寸,但是倒裝芯片工藝并沒(méi)有可預(yù)見(jiàn)的清晰路徑,能夠縮小到小于10μm,并同時(shí)保持合理的良率和成本。這是一個(gè)很大的問(wèn)題,因?yàn)橹谱髟鰪?qiáng)現(xiàn)實(shí)的顯示器需要像素尺寸小于10μm的microLED。
Jade Bird Display(JBD)青鳥(niǎo)顯示是一家成立于2015年的初創(chuàng)公司,總部設(shè)在香港。我們正在利用創(chuàng)新的晶圓級(jí)技術(shù)解決傳統(tǒng)倒裝芯片技術(shù)在microLED微顯示器上的所有缺點(diǎn)。其中的核心是將整個(gè)化合物半導(dǎo)體外延層轉(zhuǎn)移到硅IC晶圓上。這是通過(guò)晶圓鍵合和襯底去除來(lái)實(shí)現(xiàn)的。通過(guò)采用晶圓級(jí)外延轉(zhuǎn)移工藝,我們不再需要精確的對(duì)準(zhǔn),而這恰恰是倒裝芯片技術(shù)的先決條件,并且我們最終有能力走向高吞吐量的晶圓級(jí)制造工藝。
一旦我們形成了IC上外延的模板,我們就可以使用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體器件制造工藝來(lái)生產(chǎn)具有不同功能的混合芯片。通過(guò)半導(dǎo)體行業(yè)中已有成熟的高精度光刻設(shè)備和工藝,我們能夠以亞微米對(duì)準(zhǔn)精度在像素驅(qū)動(dòng)器電路陣列上制造化合物半導(dǎo)體功能器件陣列。這是在硅IC上混合集成微小間距器件陣列的關(guān)鍵,這里像素尺寸可以小到幾微米(見(jiàn)圖1)。
圖1. JBD的晶圓級(jí)單片混合集成技術(shù)。
我們技術(shù)的另一個(gè)重要優(yōu)勢(shì)是它可以利用已有的完善基礎(chǔ)設(shè)施。利用為硅基IC產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)的設(shè)備和半導(dǎo)體工藝,我們可以利用低成本的批量生產(chǎn)技術(shù),生產(chǎn)集成功能混合芯片,包括我們的高性能microLED微顯示器。
潛力巨大的原型
憑借我們的技術(shù),我們已經(jīng)在microLED微顯示器的開(kāi)發(fā)方面取得了重大進(jìn)展。該工作開(kāi)始于2016年初,我們?cè)谀悄昴昴r(shí)實(shí)現(xiàn)了我們的第一個(gè)里程碑:我們的首批微型顯示器。它們表現(xiàn)出卓越的器件性能,結(jié)合了出色的亮度/對(duì)比度以及功率效率和小的器件尺寸。即使我們的第一次嘗試,我們的原型也大大優(yōu)于現(xiàn)有的微顯示技術(shù)(見(jiàn)圖2)。
圖2.封裝好的紅色,綠色和藍(lán)色有源矩陣microLED微顯示器。
這些首批的單色紅色,綠色和藍(lán)色微顯示器制備成了VGA格式,具有640像素×480像素的標(biāo)準(zhǔn)清晰度顯示分辨率。綠色和藍(lán)色microLED采用InGaN/GaN基材料制成,而AlInGaP/GaAs基材料則用于紅色microLED。所有這些LED都具有圓形幾何形狀,直徑僅為6μm,且它們形成20μm像素間距的微顯示器,這對(duì)應(yīng)于每英寸1,270像素的分辨率。在每個(gè)像素20μA的峰值電流情況下,該顯示器中的綠色LED的亮度可超過(guò)5×105尼特,這是現(xiàn)有基于OLED的自發(fā)光微顯示器的500倍以上。
為了構(gòu)建全彩色微顯示器,我們可以將三個(gè)單色microLED微顯示器與外部光學(xué)器件組合,例如交叉雙色(X-cube)棱鏡。雖然這種選擇似乎會(huì)導(dǎo)致整個(gè)顯示器的尺寸和體積增加,但情況不一定如此,因?yàn)槲覀兊募夹g(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)非常小的microLED微顯示器。
除了我們目前首先進(jìn)行的這種方法,我們正在考慮使用多次外延轉(zhuǎn)移工藝,這樣就能夠在同一驅(qū)動(dòng)IC基板上的不同層中,形成不同顏色的microLED陣列。如果我們要實(shí)現(xiàn)這種方式,我們期望使用比我們的單色顯示器更大的像素間距,因?yàn)榫哂胁煌伾膍icroLED陣列的像素將必須彼此相鄰地排列。另一個(gè)潛在的缺點(diǎn)是亮度會(huì)降低,因?yàn)楣饪赡鼙贿@種結(jié)構(gòu)所阻擋。
圖3.有源矩陣microLED微顯示器上的20μm間距像素陣列。
為了將我們的核心技術(shù)單色微顯示器商業(yè)化,我們正在尋求分布式的制造策略。我們從傳統(tǒng)的LED芯片制造商那里購(gòu)買我們制造microLED用的LED外延片。只要在外延晶圓與背板晶圓結(jié)合后可以成功地去除襯底,就可以使用具有不同襯底的外延晶圓來(lái)制造我們的顯示器。在大多數(shù)情況下,這可以通過(guò)對(duì)制造工藝進(jìn)行微小的改變就可以實(shí)現(xiàn)。
對(duì)于背板,我們將驅(qū)動(dòng)器IC的設(shè)計(jì)外包給在該領(lǐng)域具有豐富專業(yè)知識(shí)的公司,而驅(qū)動(dòng)器IC背板晶圓的批量流片則通過(guò)代工廠服務(wù)在標(biāo)準(zhǔn)的8英寸CMOS線上進(jìn)行。我們使用4英寸LED外延片進(jìn)行演示。為了適應(yīng)它們的尺寸,我們將8英寸CMOS IC晶圓切割為4英寸,以便進(jìn)行后續(xù)器件工藝。這部分生產(chǎn)工藝是在我們的一個(gè)戰(zhàn)略合作伙伴所運(yùn)營(yíng)的試驗(yàn)工廠中完成的(見(jiàn)圖4)。請(qǐng)注意,通過(guò)切換到更大的LED外延片,可以輕松地將生產(chǎn)擴(kuò)展到大于4英寸直徑上。
圖4. 采用JBD單片混合集成技術(shù)制造的4英寸有源矩陣microLED微顯示芯片的晶圓。
我們制造工藝的一個(gè)主要好處是其高度的靈活性。我們可以根據(jù)外延片可用性,IC設(shè)計(jì)能力以及CMOS代工廠所提供服務(wù),來(lái)進(jìn)行選擇。最終,通過(guò)外包,我們降低了資本投資相關(guān)的成本。
繼2016年底我們?cè)趍icroLED上的初步成功之后,我們?cè)趦蓚€(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域取得了進(jìn)一步的進(jìn)展:亮度和分辨率。兩個(gè)方面的成功分別提高了我們的技術(shù)在投影儀和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)方面的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。
超高亮度
microLED微顯示器的重要市場(chǎng)機(jī)會(huì)之一是各種形式的投影儀,包括便攜式投影儀和背投電視機(jī)。對(duì)于這些應(yīng)用,微顯示面板的高亮度是至關(guān)重要的。對(duì)于microLED微顯示器,要滿足這一要求非常有挑戰(zhàn)性,并且障礙來(lái)自多種因素,包括LED外延質(zhì)量,microLED像素的特定器件結(jié)構(gòu)以及制造工藝。
憑借我們?cè)诎雽?dǎo)體行業(yè)的深厚研發(fā)經(jīng)驗(yàn),我們已經(jīng)進(jìn)行了廣泛的工作,考慮了諸如器件結(jié)構(gòu)的改進(jìn),制造工藝的優(yōu)化以及高亮度LED外延片的選擇。這些勞動(dòng)的成果包括減少了載流子泄漏和microLED的光損失,以及它們的光提取效率優(yōu)化。得到的這些器件亮度更高,效率更高,并且使我們的微型顯示器上綠色LED的亮度增加到超過(guò)106尼特,這是在與初始演示時(shí)相同的驅(qū)動(dòng)器背板上制造的。對(duì)于紅色,綠色和藍(lán)色microLED陣列,外部量子效率分別為9%,12%和18%。
與此同時(shí),我們仔細(xì)研究了microLED的空間發(fā)光特性,研究是否有可能提高投影應(yīng)用的亮度。許多形式的LED具有固有的大發(fā)散角,這會(huì)使投影系統(tǒng)的光學(xué)效率降低。對(duì)于許多microLED,這種低效率的根本原因是從器件發(fā)出的大部分光,都位于投影系統(tǒng)的接收角之外,所以就被浪費(fèi)了。然而,采用我們的新技術(shù),我們克服了這些問(wèn)題。這是因?yàn)槲覀兊募夹g(shù)并沒(méi)有覆蓋microLED陣列的生長(zhǎng)襯底。相反,微光學(xué)陣列加到了microLED陣列的頂部,用來(lái)減少發(fā)光的發(fā)散和增強(qiáng)光的投影效率。
使用這種方法,我們已經(jīng)制造出了具有微反射器和微透鏡陣列的微顯示器。這些改進(jìn)使法線方向的亮度增加了六倍,推動(dòng)綠光亮度超過(guò)3×106尼特(見(jiàn)圖5)。
圖5. 集成在有源矩陣microLED微顯示器面板上的微光學(xué)器件以及測(cè)量的具有/不具有微光學(xué)器件的發(fā)光角度分布。
分辨率
增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)是微顯示器的一個(gè)更大市場(chǎng),甚至可能是這項(xiàng)技術(shù)的最大市場(chǎng)。對(duì)于這種應(yīng)用,由于要在強(qiáng)環(huán)境光背景下戶外操作,從而有高亮度和對(duì)比度要求與高分辨率需求相結(jié)合的強(qiáng)烈需求。后者更加至關(guān)重要,因?yàn)樗试S微顯示器面板在不損害圖像質(zhì)量和系統(tǒng)緊湊性的情況下,能夠?qū)崿F(xiàn)大視場(chǎng)。
我們的技術(shù)非常適合滿足這些要求。為了展示其增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)的潛力,我們制作出了每英寸超過(guò)5,000像素的微顯示器(見(jiàn)圖6)。
圖6.有源矩陣microLED微顯示器的晶圓級(jí)測(cè)試,分辨率高于每英寸5,000像素
采用直徑僅為2μm的microLED,像素間距僅為5μm,我們相信這一壯舉將為高分辨率有源矩陣microLED微顯示器樹(shù)立新的基準(zhǔn)。
甚至更高的分辨率應(yīng)該也是可以實(shí)現(xiàn)的。我們相信,通過(guò)改進(jìn)器件設(shè)計(jì)和制造工藝,像素密度可超過(guò)10,000/英寸。當(dāng)結(jié)合遠(yuǎn)高于105尼特的亮度水平時(shí),這將會(huì)實(shí)現(xiàn)超高分辨率的有源矩陣microLED微顯示器,而這正是增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)最理想,最有前景的解決方案。
為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),我們現(xiàn)在的重點(diǎn)是將微顯示器原型轉(zhuǎn)換為產(chǎn)品,并將其推向市場(chǎng)。在我們努力實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的同時(shí),我們將通過(guò)不斷突破微顯示技術(shù)的極限來(lái)應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求,并致力于完善高性能microLED微顯示器。